JEDEC半導(dǎo)體業(yè)界的一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)化組織,制定固態(tài)電子方面的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(半導(dǎo)體、記憶體),成立超過50年是一個(gè)全球性的組織,他所制訂的標(biāo)準(zhǔn)是很多產(chǎn)業(yè)都能夠接手與采納的,而且它的技術(shù)資料很多都是是開放不收費(fèi)的,只有部分資料需要收費(fèi),所以有需要都可以到官方網(wǎng)站注冊(cè)下載,內(nèi)容包含了專業(yè)術(shù)語的定義、產(chǎn)品的規(guī)格、測(cè)試方法、可靠度試驗(yàn)要求..等涵蓋內(nèi)容非常廣。
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JEP122G-2011半導(dǎo)體元件的失效機(jī)制和模型
加速壽命試驗(yàn)用于提早發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體潛在故障原因,并估算可能的失效率透過本章節(jié)提供相關(guān)活化能與加速因子公式,用于加速壽命測(cè)試下進(jìn)行估算與故障率統(tǒng)計(jì)。
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JEP150.01-2013與組裝固態(tài)表面安裝組件相關(guān)的應(yīng)力測(cè)試驅(qū)動(dòng)失效機(jī)理
GBA、LCC貼合在PCB上,采用一組較常使用的加速可靠度測(cè)試,用來評(píng)鑑生產(chǎn)工藝與產(chǎn)品的散熱,找出潛在的故障機(jī)制,或是可能造成錯(cuò)誤失敗的任何原因。
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JESD22-A100E-2020循環(huán)溫濕度偏壓表面凝結(jié)壽命試驗(yàn)
透過溫度循環(huán)+濕度+通電偏壓,來測(cè)試非密封封裝的固態(tài)器件在潮濕環(huán)境中的可靠度,這個(gè)測(cè)試規(guī)范采用[溫度循環(huán)+濕度+通電偏壓]的手法,可以加速水分子通過外部保護(hù)材料(密封劑)與通過金屬導(dǎo)體之間的界面保護(hù)層來滲透,這樣的測(cè)試會(huì)讓表面產(chǎn)生結(jié)露,可以用來確認(rèn)待測(cè)品表面的腐蝕與遷移現(xiàn)象。
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JESD22-A101D.01-2021穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命測(cè)試
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了在施加偏壓的條件下進(jìn)行溫度-濕度壽命測(cè)試的定義方法和條件,該測(cè)試用來評(píng)估潮濕環(huán)境中非氣密包裝的固態(tài)設(shè)備可靠性(如:密封IC器件),
采用高溫和高濕條件以加速水分通過外部的保護(hù)材料(密封劑或密封),或沿著外部保護(hù)涂層與導(dǎo)體與其他穿過部件之間的界面滲透。
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JESD22-A102E-2015封裝IC無偏壓PCT試驗(yàn)
用來評(píng)價(jià)非氣密封裝器件在水汽凝結(jié)或飽和水汽環(huán)境下抵御水汽的完整性,樣品在高壓下處于凝結(jié)的、高濕度環(huán)境中,以使水汽進(jìn)入封裝體內(nèi),暴露出封裝中的弱點(diǎn),如分層和金屬化層的腐蝕。該試驗(yàn)用來評(píng)價(jià)新的封裝結(jié)構(gòu)或封裝體中材料、設(shè)計(jì)的更新。應(yīng)該注意,在該試驗(yàn)中會(huì)出現(xiàn)一些與實(shí)際應(yīng)用情況不符的內(nèi)部或外部失效機(jī)制。由于吸收的水汽會(huì)降低大多數(shù)聚合物材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度,當(dāng)溫度高于玻璃化轉(zhuǎn)變溫度時(shí),可能會(huì)出現(xiàn)非真實(shí)的失效模式。
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JESD22-A104F-2020溫度循環(huán)
溫度循環(huán)(TCT)測(cè)試是讓IC零件經(jīng)受極高溫和極低溫之間,來回溫度轉(zhuǎn)換的可靠度測(cè)試,進(jìn)行該測(cè)試時(shí)將IC零件重復(fù)暴露于這些條件下,經(jīng)過指定的循環(huán)次數(shù),過程成被要求其指定升降溫的溫變率(℃/min),另外需確認(rèn)溫度是否有效滲透到測(cè)試品內(nèi)部。
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JESD22-A105D-2020功率和溫度循環(huán)
本測(cè)試適用于受溫度影響的半導(dǎo)體元器件,過程中需要在指定高低溫差條件下,開啟或關(guān)閉測(cè)試電源,溫度循環(huán)還有電源測(cè)試,是確認(rèn)元器件的承受能力,目的是模擬實(shí)際會(huì)遇到的最差狀況。
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JESD22-A106B.01-2016溫度沖擊
進(jìn)行此溫度沖擊測(cè)試,是為了確定半導(dǎo)體元器件,對(duì)于突然暴露在極端高低溫條件下的抵抗力及影響,此試驗(yàn)其溫變率過快并非模擬真正實(shí)際使用情況,其目的是施加較嚴(yán)苛的應(yīng)力于半導(dǎo)體元器件上,加速其脆弱點(diǎn)的破壞,找出可能的潛在性損害。
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JESD22-A110E-2015有偏壓的HAST高度加速壽命試驗(yàn)
依據(jù)JESD22-A110規(guī)范,THB和BHAST都是進(jìn)行元器件高溫高濕的試驗(yàn),而且試驗(yàn)過程需要施加偏壓,目的是加速元器件腐蝕,而BHAST與THB的差別在于可以有效的縮短原本進(jìn)行THB試驗(yàn)所需的試驗(yàn)時(shí)間
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JESD22A113I塑料表面貼裝器件的可靠性測(cè)試之前的預(yù)處理
針對(duì)非密閉SMD零件,在電路板組裝過程,因?yàn)楸旧頃?huì)因?yàn)榉庋b水氣導(dǎo)致SMD出現(xiàn)損壞,預(yù)處理可以模擬在組裝過程可能出現(xiàn)的可靠度問題,透過此規(guī)范的測(cè)試條件找出SMD與PCB在回流銲組裝的潛在瑕疵。
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JESD22-A118B-2015無偏壓高速加速壽命試驗(yàn)
評(píng)估非氣密性封裝元件在無偏壓條件下抗潮濕能力,確認(rèn)其耐濕性、堅(jiān)固性與加速腐蝕及加老化,可以做為類似JESD22-A101測(cè)試但是測(cè)試溫度更高,此試驗(yàn)為采用非結(jié)露溫度與濕度條件,進(jìn)行高度加速壽命試驗(yàn),本試驗(yàn)須能控制壓力鍋體內(nèi)的升降溫速度與降溫時(shí)的濕度
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JESD22-A119A-2015低溫存儲(chǔ)壽命試驗(yàn)
在不加任何偏壓情況下,借由模擬低溫環(huán)境評(píng)定產(chǎn)品于長(zhǎng)時(shí)間承受與對(duì)抗低溫的能力,此試驗(yàn)過程不施加偏壓,試驗(yàn)結(jié)束后回到常溫才能夠進(jìn)行電性測(cè)試
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JESD22-A122A-2016功率循環(huán)測(cè)試
提供固態(tài)元件封裝功率循環(huán)測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與方法,透過偏壓的開關(guān)週期會(huì)造成封裝體內(nèi)溫度分布不均勻(PCB、連接器、散熱器),還有模擬待機(jī)睡眠模式與全載運(yùn)轉(zhuǎn),并作為固態(tài)元件封裝的相關(guān)連結(jié)的生命週期測(cè)試,此試驗(yàn)可補(bǔ)充與增加JESD22-A104或JESD22-A105的測(cè)試結(jié)果,此試驗(yàn)無法模擬嚴(yán)苛的環(huán)境如:引擎室或飛機(jī)與太空梭。
推薦設(shè)備: 冷熱沖擊試驗(yàn)箱
JESD94B-2015 特定應(yīng)用資格使用基于知識(shí)的測(cè)試方法
使用相關(guān)可靠度測(cè)試手法針對(duì)設(shè)備進(jìn)行測(cè)試,提供了可以擴(kuò)展的方法到其他故障機(jī)制和測(cè)試環(huán)境,并使用相關(guān)壽命模型推估壽命
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